砷化铟（InAs）晶体基片；常规尺寸：10x10x0.5mm
产品介绍
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晶体结构： |
立方 a =5.4505 Å |
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生长方法: |
CZ |
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导电类型： |
N型 |
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掺杂类型： |
不掺杂 |
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载流子浓度： |
2 ~ 5E16 / cm3 |
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迁移率： |
>18500cm2/V.S |
常规晶向：<100>、<111>；
常规尺寸：10x10x0.5mm;
dia2″x0.5mm;抛光情况：单抛或双抛;
表面粗糙度Ra:<15A
注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。
| 参数信息 | |
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| 外观状态： | 固体或粉末 |
| 质量指标： | 95%+ |
| 溶解条件： | 有机溶剂/水 |
| CAS号： | N/A |
| 分子量： | N/A |
| 储存条件： | -20℃避光保存 |
| 储存时间： | 1年 |
| 运输条件： | 室温2周 |
| 生产厂家： | 上海金畔生物科技有限公司 |