氮化镓(GaN)晶体基片,氮化镓晶体(GaN),常规尺寸:dia50.8mm±1mm x 0.35mm ±25um,可按照客户要求加工尺寸及方向。
产品介绍
制作方法: |
HVPE(氢化物气象外延法) |
传导类型: |
N型;半绝缘型 |
电阻率: |
R<0.5 Ω.cm;R>106Ω.cm |
表面粗糙度: |
<0.5nm |
位错密度: |
<5×106Ω.cm |
可用表面积: |
>90% |
TTV: |
≤15um |
Bow: |
≤20um |
晶向: |
<0001> |
常规尺寸: |
dia50.8mm±1mm x 0.35mm ±25um |
注:可按照客户要求加工尺寸及方向。 |
参数信息 | |
---|---|
外观状态: | 固体或粉末 |
质量指标: | 95%+ |
溶解条件: | 有机溶剂/水 |
CAS号: | N/A |
分子量: | N/A |
储存条件: | -20℃避光保存 |
储存时间: | 1年 |
运输条件: | 室温2周 |
生产厂家: | 上海金畔生物科技有限公司 |