氮化镓(GaN)晶体基片

氮化镓(GaN)晶体基片

氮化镓(GaN)晶体基片,氮化镓晶体(GaN),常规尺寸:dia50.8mm±1mm x 0.35mm ±25um,可按照客户要求加工尺寸及方向。

产品介绍

制作方法:

HVPE(氢化物气象外延法)

传导类型:

N型;半绝缘型

电阻率:

R<0.5 Ω.cm;R>106Ω.cm

表面粗糙度:

<0.5nm

位错密度:

<5×106Ω.cm

可用表面积:

>90%

TTV:

≤15um

Bow:

≤20um

晶向:

<0001>

常规尺寸:

dia50.8mm±1mm x 0.35mm ±25um

注:可按照客户要求加工尺寸及方向。

参数信息
外观状态: 固体或粉末
质量指标: 95%+
溶解条件: 有机溶剂/水
CAS号: N/A
分子量: N/A
储存条件: -20℃避光保存
储存时间: 1年
运输条件: 室温2周
生产厂家: 上海金畔生物科技有限公司