SiC(4H,6H)晶体，碳化硅晶体SiC(4H,6H)晶体
产品介绍
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晶胞结构 |
六方 |
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晶格常数 |
a =3.08 Å c = 15.08 Å |
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排列次序 |
ABCACB (6H) |
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生长方法 |
MOCVD |
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方向 |
生长轴或偏(0001) 3.5° |
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抛光 |
Si面抛光 |
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带隙 |
2.93 eV (间接) |
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导电类型 |
N |
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电阻率 |
0.076 ohm-cm |
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介电常数 |
e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33 |
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热导率@300K |
5 W / cm . K |
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硬度 |
9.2 Mohs |
常规晶向： <0001>；
掺杂类型： 6H N型 表示专门掺N的，掺杂浓度10E18-10E19；
4H N型 或者半绝缘；
常规尺寸：dia2″x0.33mm、dia2″x0.43mm； dia3″x0.35mm、10x10mm、10x5mm;
抛光情况：单抛或双抛，Ra<10A；
我司现可供应<10-10>和<11-20>,10x10x0.3mm，单抛 一种低电阻率（0.01~0.1 ohm.cm)，一种是高电阻率（>10^5 ohm.cm)
| 参数信息 | |
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| 外观状态： | 固体或粉末 |
| 质量指标： | 95%+ |
| 溶解条件： | 有机溶剂/水 |
| CAS号： | N/A |
| 分子量： | N/A |
| 储存条件： | -20℃避光保存 |
| 储存时间： | 1年 |
| 运输条件： | 室温2周 |
| 生产厂家： | 上海金畔生物科技有限公司 |