磷化铟(InP)单晶基片,Dia50.8×0.35mm,10×10×0.35mm,10×5×0.35mm可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底

磷化铟(InP)单晶基片,Dia50.8×0.35mm,10×10×0.35mm,10×5×0.35mm可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底

磷化铟(InP)单晶基片,Dia50.8×0.35mm,10×10×0.35mm,10×5×0.35mm可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底

产品介绍

磷化铟(InP)单晶基片主要性能参数

单晶
掺杂
导电
类型
载流子浓度
cm-3
迁移率(cm2/V.s)
位错密度(cm-2)
标准基片
InP
本征
  
     N
(0.4-2)*1016
(3.5-4)*103
    5*104
Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
InP
S
N
(0.8-3)*1018
(4-6)*1018
(2.0-2.4*103
(1.3-1.6*103
    3*104
2*103
Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
InP
Zn
P
(0.6-2)*1018
70-90
 
2*104
 
Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
InP
Fe
N
  107-108
    ³2000
    3*104
Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
尺寸(mm)
Dia50.8×0.35mm,10×10×0.35mm、10×5×0.35mm可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底
表面粗糙度
Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒显微镜(AFM)检测报告
抛光
单面或双面
包装
100级洁净袋,1000级超净室
参数信息
外观状态: 固体或粉末
质量指标: 95%+
溶解条件: 有机溶剂/水
CAS号: N/A
分子量: N/A
储存条件: -20℃避光保存
储存时间: 1年
运输条件: 室温2周
生产厂家: 上海金畔生物科技有限公司