锗(Ge)基片,10×3,10×5,10×10,15×15,20×15,20×20, dia2x 0.33mmdia2x0.43mm,15×15 mm

锗(Ge)基片,10×3,10×5,10×10,15×15,20×15,20×20, dia2x 0.33mmdia2x0.43mm,15×15 mm,0.5mm,1.0mm 抛光,单面或双面

产品介绍

锗（Ge）基片主要性能参数

生长方法	提拉法
晶体结构	立方
晶格常数	a=5.65754 Å
密度	5.323g/cm3
熔点	937.4℃
掺杂物质	不掺杂	掺Sb	掺In或Ga
类型	/	N	P
电阻率	＞35Ωcm	0.05Ωcm	0.05~0.1Ωcm
EPD	＜4×103∕cm2	＜4×103∕cm2	＜4×103∕cm2
尺寸	10×3，10×5，10×10，15×15，，20×15，20×20， dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm
厚度	0.5mm，1.0mm
抛光	单面或双面
晶向	<100>、<110>、<111>、±0.5º
晶面定向精度:	±0.5°
边缘定向精度:	2°（特殊要求可达1°以内）
斜切晶片	可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
Ra:	≤5Å（5µm×5µm）
包装	100级洁净袋，1000级超净室