半导体薄膜基片,10×10mm,15×15mm,Dia50.8mm,Dia76.2mm,Dia100mm

半导体薄膜基片,10×10mm,15×15mm,Dia50.8mm,Dia76.2mm,Dia100mm,可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的基片厚度0.3-0.5mm,1.0mm 尺寸公差,,<±0.1mm

产品介绍

硅（Si）基片主要性能参数

晶体结构	面心立方
熔点（℃）	1420
密度	2.4（g/cm3）
掺杂物质	不参杂	掺B	掺P
类型	N或P	P	N
电阻率	>1000Ωcm	10-3~40Ωcm	102~104Ωcm
E P D	≤100∕cm2	≤100∕cm2	≤100∕cm2
氧含量（∕cm3）	≤1~1.8×1018	≤1~1.8×1018	≤1~1.8×1018
碳含量（∕cm3）	≤5×1016	≤5×1016	≤5×1016
尺寸	10×10mm、15×15mm、Dia50.8mm、Dia76.2mm、Dia100mm 可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的基片
厚度	0.3-0.5mm、1.0mm
尺寸公差	<±0.1mm
厚度公差	<±0.015mm特殊要求可达到<±0.005mm）
抛光	单面或双面
晶面定向精度	±0.5°
边缘定向精度	2°（特殊要求可达到1°以内）
取向	<100>、<110>、<111>等
包装	100级洁净袋，1000级超净室