锗晶圆/衬底,生长方法,直拉法或区熔法

锗晶圆/衬底,生长方法,直拉法或区熔法

锗晶圆/衬底,生长方法,直拉法或区熔法

产品介绍

化学式 Ge
 
晶体生长
生长方法 直拉法 或 区熔法
 
晶体性质
晶体结构 立方体
晶格常数(nm) a = 0.56735
 
物理性质
颜色 金属色
密度(g / cm3 5.32
熔点(K) 1210
热膨胀(10-6 K-1 5.75
导热系数(VV / mK) 58.8
带隙(eV为273K) 0.67
参数信息
外观状态: 固体或粉末
质量指标: 95%+
溶解条件: 有机溶剂/水
CAS号: N/A
分子量: N/A
储存条件: -20℃避光保存
储存时间: 1年
运输条件: 室温2周
生产厂家: 上海金畔生物科技有限公司