Si片外延AlN膜是通过HVPE方法生长，其实验衬底效果已日渐取代AlN单晶基片
产品介绍
AlN厚度：200nm ±10%, 单面镀膜 正面：<2nm RMS, as-grown 背面：silicon as received AlN晶向：(00.2) 宏缺陷密度：<10/cm^2 薄膜衬底：Si [111] N type, dia 4" x0.5 mm, res: 1~10 ohm-cm, 单抛 常规尺寸：dia 4" x0.5 mm,单抛
| 参数信息 | |
|---|---|
| 外观状态： | 固体或粉末 |
| 质量指标： | 95%+ |
| 溶解条件： | 有机溶剂/水 |
| CAS号： | N/A |
| 分子量： | N/A |
| 储存条件： | -20℃避光保存 |
| 储存时间： | 1年 |
| 运输条件： | 室温2周 |
| 生产厂家： | 上海金畔生物科技有限公司 |