氮化镓Epitxial范本saphhire是提出了氢化物气相外延（HVPE）的方法。在HVPE过程中，盐酸反应生成GaCl，而这又与氨反应生成氮化镓熔镓。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化镓单晶基板。 技术参数： 常规尺寸dia50.8±1mm x 4um,10-25um.dia100±1mm x 4um,10-25um. <0001>±1° N型 注：可按客户需求定制特殊堵塞方向和尺寸。 产品定位C轴<0001>±1° 传导类型N型；半绝缘型；P型 电阻率R<0.05 Ohm-cm；半绝缘型R>106 Ohm-cm 位错密度<1×108 Cm-2 表面处理(镓面)AS Grown 有效值<1nm 可用表面积>90%

参数信息
外观状态：	固体或粉末
质量指标：	95%+
溶解条件：	有机溶剂/水
CAS号：	N/A
分子量：	N/A
储存条件：	-20℃避光保存
储存时间：	1年
运输条件：	室温2周
生产厂家：	上海金畔生物科技有限公司