GaAs InGaP薄膜
产品介绍
InGaP:Si/GaAs;Si EPI Ready wafer ,P/E 3" dia.x0.625mm ,1sp 3" InGaP/GaAs Epi wafers Substrate: Gallium Arsenide wafers, P/E 3"Ø×625±25µm, n-type GaAs:Si [100]±0.5°, One-side-polished, back-side matte etched, US Flat (one). Epi: 1µm n-type InGaP:Si[100]±0.5°, lattice-match.
| 参数信息 | |
|---|---|
| 外观状态： | 固体或粉末 |
| 质量指标： | 95%+ |
| 溶解条件： | 有机溶剂/水 |
| CAS号： | N/A |
| 分子量： | N/A |
| 储存条件： | -20℃避光保存 |
| 储存时间： | 1年 |
| 运输条件： | 室温2周 |
| 生产厂家： | 上海金畔生物科技有限公司 |