CVD生长SiO2/Si衬底单层氮化硼薄膜，铜箔厚度：25 μm
产品介绍
产品转移到SiO2/Si衬底光学显微镜照片：
SEAD:
Ram:
HRTEM:
衬底信息
铜箔厚度：25 μm
薄膜覆盖率：~100% (少量叠层)
晶畴>4 μm
带隙：5.97 eV
薄膜透过率>97% 询价
尺寸：4英寸
衬底厚度：500±50 μm
氧化层厚度：300 nm
衬底电阻率：1-10 (?-cm)
衬底晶向：<1-0-0>
| 参数信息 | |
|---|---|
| 外观状态： | 固体或粉末 |
| 质量指标： | 95%+ |
| 溶解条件： | 有机溶剂/水 |
| CAS号： | N/A |
| 分子量： | N/A |
| 储存条件： | -20℃避光保存 |
| 储存时间： | 1年 |
| 运输条件： | 室温2周 |
| 生产厂家： | 上海金畔生物科技有限公司 |